- モデル
- D2010UK
- RoHS
- データシート
- 説明
- RF MOSFET Transistors RF MOSFET
製品仕様
- Configuration
- Single
- Gain
- 10 dB
- Height
- 5.08 mm
- Id - Continuous Drain Current
- 8 A
- Length
- 18.92 mm
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Operating Frequency
- 1 GHz
- Output Power
- 20 W
- Package / Case
- DP
- Pd - Power Dissipation
- 8.3 W
- Product Type
- RF MOSFET Transistors
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Type
- RF Power MOSFET
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 65 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 1 V to 7 V
- Width
- 6.35 mm
商品カテゴリ
Circuit Protection
157,625 製品
Connectors
2,137,436 製品
Electromechanical
285,583 製品
Embedded Solutions
103,645 製品
Enclosures
21,131 製品
Engineering Development Tools
46,355 製品
Industrial Automation
55,700 製品
LED Lighting
67,469 製品
Optoelectronics
76,118 製品
Passive Components
2,029,037 製品
Power
278,174 製品
Semiconductors
575,056 製品
Sensors
61,386 製品
Test & Measurement
20,391 製品
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