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製品仕様

分類
RF MOSFET Transistors
Configuration
Single
Gain
10 dB
Height
5.08 mm
Id - Continuous Drain Current
8 A
Length
18.92 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Style
SMD/SMT
Operating Frequency
1 GHz
Output Power
20 W
Package / Case
DP
Pd - Power Dissipation
8.3 W
Product Type
RF MOSFET Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V to 7 V
Width
6.35 mm

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

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