D2012UK

画像は参考用です
モデル
D2012UK
分類
RF MOSFET Transistors
RoHS
データシート
説明
RF MOSFET Transistors Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE

製品仕様

分類
RF MOSFET Transistors
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Gain
10 dB
Height
5.08 mm
Id - Continuous Drain Current
4 A
Length
18.92 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Style
SMD/SMT
Operating Frequency
1 GHz
Output Power
10 W
Package / Case
DP
Pd - Power Dissipation
42 W
Product Type
RF MOSFET Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V to 7 V
Width
6.35 mm

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