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IKFW50N60DH3XKSA1

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製品仕様

分類
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
53 A
Continuous Collector Current Ic Max
60 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
PG-TO247-3
Packaging
Tube
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
145 W
Product Type
IGBT Transistors
Technology
SI

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

最新の評価

事後評価
My package arrived wet, not know where occurs this fact, but working all right
Product well received and very quickly for France, all is in order in perfect condition. Thank you. I recommend this company.
Works. Find the price of this product is very good
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