HN1B01FU-GR,LF

画像は参考用です

製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
60 V, - 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Configuration
Dual
DC Collector/Base Gain hfe Min
120
DC Current Gain hFE Max
400
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz, 120 MHz
Maximum DC Collector Current
150 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
SOT-363-6
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Pd - Power Dissipation
200 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
HN1B01
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN, PNP
Unit Weight

最新の評価

Empresa muy seria , el envió llego como veis en las fotos de manera muy segura , todos los componentes son de gran calidad , aconsejo TNT frente a DHL como compa?ía para el envió .

Teşekkürler

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