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HN1C03F-B(TE85L,F)

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製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
42 mV
Configuration
Dual
DC Collector/Base Gain hfe Min
200
DC Current Gain hFE Max
1200
Emitter- Base Voltage VEBO
25 V
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Maximum DC Collector Current
300 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
SOT-26-6
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Pd - Power Dissipation
300 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
HN1C03
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN
Unit Weight

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

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