- モデル
- RQ3E120GNTB
- 分類
- MOSFET
- RoHS
- データシート
- 説明
- MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
製品仕様
- 分類
- MOSFET
- Configuration
- Single
- Fall Time
- 3.4 ns
- Forward Transconductance - Min
- 10 s
- Id - Continuous Drain Current
- 12 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- HSMT-8
- Packaging
- MouseReel
- Packaging
- Reel
- Packaging
- Cut Tape
- Part # Aliases
- Pd - Power Dissipation
- 2 W
- Product Type
- MOSFET
- Qg - Gate Charge
- 10 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 8.8 mOhms
- Rise Time
- 4.5 ns
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Transistor Type
- 1 N-Channel
- Typical Turn-Off Delay Time
- 25.5 ns
- Typical Turn-On Delay Time
- 9.6 ns
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2.5 V
商品カテゴリ
Circuit Protection
157,625 製品
Connectors
2,137,436 製品
Electromechanical
285,583 製品
Embedded Solutions
103,645 製品
Enclosures
21,131 製品
Engineering Development Tools
46,355 製品
Industrial Automation
55,700 製品
LED Lighting
67,469 製品
Optoelectronics
76,118 製品
Passive Components
2,029,037 製品
Power
278,174 製品
Semiconductors
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