- モデル
- RQ3E080GNTB
- 分類
- MOSFET
- RoHS
- データシート
- 説明
- MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
製品仕様
- 分類
- MOSFET
- Configuration
- Single
- Fall Time
- 2.4 ns
- Forward Transconductance - Min
- 7 s
- Id - Continuous Drain Current
- 8 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- HSMT-8
- Packaging
- Reel
- Packaging
- Cut Tape
- Packaging
- MouseReel
- Part # Aliases
- Pd - Power Dissipation
- 2 W
- Product Type
- MOSFET
- Qg - Gate Charge
- 5.8 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 16.7 mOhms
- Rise Time
- 3.6 ns
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Transistor Type
- 1 N-Channel
- Typical Turn-Off Delay Time
- 17.3 ns
- Typical Turn-On Delay Time
- 6.9 ns
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2.5 V
商品カテゴリ
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Electromechanical
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