RQ3E120ATTB

画像は参考用です
モデル
RQ3E120ATTB
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET PCH -30V -12A MIDDLE POWER

製品仕様

分類
MOSFET
Configuration
Single
Fall Time
95 ns
Height
0.85 mm
Id - Continuous Drain Current
12 A
Length
3 mm
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
2 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
62 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
61 mOhms
Rise Time
30 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
140 ns
Typical Turn-On Delay Time
20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
39 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Width
2.4 mm

最新の評価

Hello! Order received, very happy. Thank you very much!

Everything is excellent! recommend this seller!

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Good product. Very small and well built. Ii is not produce any kind of. nterferences RFi. Quick delivery

Fast shippng. Good quality. I recomend this seller.

関連キーワード RQ3E

  • RQ3E120ATTB 統合された
  • RQ3E120ATTB RoHS
  • RQ3E120ATTB PDFデータシート
  • RQ3E120ATTB データシート
  • RQ3E120ATTB 部
  • RQ3E120ATTB 購入
  • RQ3E120ATTB 配給業者
  • RQ3E120ATTB PDF
  • RQ3E120ATTB 成分
  • RQ3E120ATTB IC
  • RQ3E120ATTB PDFをダウンロード
  • RQ3E120ATTB データシートをダウンロードする
  • RQ3E120ATTB 供給
  • RQ3E120ATTB サプライヤー
  • RQ3E120ATTB 価格
  • RQ3E120ATTB データシート
  • RQ3E120ATTB 画像
  • RQ3E120ATTB 画像
  • RQ3E120ATTB 在庫
  • RQ3E120ATTB 株式
  • RQ3E120ATTB 元の
  • RQ3E120ATTB 最も安い
  • RQ3E120ATTB 優秀な
  • RQ3E120ATTB 無鉛の
  • RQ3E120ATTB 仕様
  • RQ3E120ATTB ホットオファー
  • RQ3E120ATTB ブレイクプライス
  • RQ3E120ATTB 技術データ