RQ3E100ATTB

画像は参考用です
モデル
RQ3E100ATTB
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET PCH -30V -31A POWER

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
50 ns
Id - Continuous Drain Current
31 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Pd - Power Dissipation
17 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
42 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
11.4 mOhms
Rise Time
14 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
85 ns
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

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