- モデル
- 2N2608
- 分類
- JFET
- RoHS
- データシート
- 説明
- JFET JFET P-Channel -30V 50mA 300mW 2mW
製品仕様
- 分類
- JFET
- Configuration
- Single
- Drain-Source Current at Vgs=0
- - 4.5 mA
- Forward Transconductance - Min
- 1 ms
- Gate-Source Cutoff Voltage
- 4 V
- Id - Continuous Drain Current
- 5 mA
- Mounting Style
- Through Hole
- Package / Case
- TO-18-3
- Packaging
- Bulk
- Pd - Power Dissipation
- 300 mW
- Series
- 2N26
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- P-Channel
- Type
- JFET
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- - 10 V
- Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- - 30 V
商品カテゴリ
Circuit Protection
157,625 製品
Connectors
2,137,436 製品
Electromechanical
285,583 製品
Embedded Solutions
103,645 製品
Enclosures
21,131 製品
Engineering Development Tools
46,355 製品
Industrial Automation
55,700 製品
LED Lighting
67,469 製品
Optoelectronics
76,118 製品
Passive Components
2,029,037 製品
Power
278,174 製品
Semiconductors
575,056 製品
Sensors
61,386 製品
Test & Measurement
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