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2N2604/TR

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製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hfe Min
15 at 100 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max
180 at 500 uA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Maximum DC Collector Current
30 mA
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-46-3
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
400 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
PNP

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

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