RQ3L050GNTB

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モデル
RQ3L050GNTB
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
3.7 ns
Forward Transconductance - Min
3.5 s
Id - Continuous Drain Current
12 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
14.8 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
5.3 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
43 mOhms
Rise Time
4.9 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
17.4 ns
Typical Turn-On Delay Time
7.4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

最新の評価

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