RQ3L090GNTB

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モデル
RQ3L090GNTB
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET NCH 60V 30A POWER

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
14 ns
Id - Continuous Drain Current
30 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
20 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
24.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
13.9 mOhms
Rise Time
14 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
41 ns
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.3 V

最新の評価

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