- モデル
- IKQ50N120CH3XKSA1
- RoHS
- データシート
- 説明
- IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
製品仕様
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 1200 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 2 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current at 25 C
- 100 A
- Continuous Collector Current Ic Max
- 100 A
- Gate-Emitter Leakage Current
- 100 nA
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Maximum Operating Temperature
- + 175 C
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Package / Case
- TO-247-3
- Packaging
- Tube
- Part # Aliases
- Pd - Power Dissipation
- 652 W
- Product Type
- IGBT Transistors
- Technology
- SI
- Unit Weight
商品カテゴリ
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157,625 製品
Connectors
2,137,436 製品
Electromechanical
285,583 製品
Embedded Solutions
103,645 製品
Enclosures
21,131 製品
Engineering Development Tools
46,355 製品
Industrial Automation
55,700 製品
LED Lighting
67,469 製品
Optoelectronics
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Semiconductors
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Properly packed, not damaged. Works well, voltage levels are stable. Recommend.
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Fabrice Cubaynes
Takes 8 days to Japan. Good!
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Flavia
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Sergio Garcia Carreon
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