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2N2906

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製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hfe Min
40 at 150 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max
40 at 150 mA, 10 V
Gain Bandwidth Product fT
200 MHz
Height
5.33 mm
Length
5.84 mm
Maximum DC Collector Current
0.6 A
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-18
Pd - Power Dissipation
400 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
PNP
Width
5.84 mm

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

最新の評価

事後評価
Properly packed, not damaged. Works well, voltage levels are stable. Recommend.
Thank you! Received consistent. Long Service. Walking in Russia! Seller recommend!!!
it is safe and sound all, thank you seller!
Order received all the rules. Ощень мана quickly, to Yakutia 5 day, respect, not tupit. Packed in standard. Driver in the form of niche, soldering standards, not tested. And diode, he ordered. Orders joined fellow
Shipped quickly, it was about 1 weeks in Krasnodar. Until the check operation, but to look at everything together
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