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2N2270

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製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
900 mV
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hfe Min
50
DC Current Gain hFE Max
200
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Height
6.6 mm
Length
9.4 mm
Maximum DC Collector Current
150 mA
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-39-3
Packaging
Bulk
Part # Aliases
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
2N2270
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN
Unit Weight
Width
9.4 mm

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

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Long Service and Russia!
Everything is fine!
Great product. Arrived ahead of time. Thank you
Good material. Great seller, efficient and insurance. Ok
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