2N2905

画像は参考用です

製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
0.6 A
DC Collector/Base Gain hfe Min
35 at 100 uA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
200 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-39-3
Packaging
Bulk
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
800 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
PNP
Unit Weight

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