RQ3E100GNTB

画像は参考用です
モデル
RQ3E100GNTB
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

製品仕様

分類
MOSFET
Configuration
Single
Fall Time
3.1 ns
Forward Transconductance - Min
8 s
Id - Continuous Drain Current
10 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Packaging
Reel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
2 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
7.9 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
11.7 mOhms
Rise Time
4.3 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
22.4 ns
Typical Turn-On Delay Time
8.4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

最新の評価

Thanks for your feedback!

it is safe and sound all, thank you seller!

Everything is excellent! recommend this seller!

fast delivery

The goods are OK, thank you dealers.

関連キーワード RQ3E

  • RQ3E100GNTB 統合された
  • RQ3E100GNTB RoHS
  • RQ3E100GNTB PDFデータシート
  • RQ3E100GNTB データシート
  • RQ3E100GNTB 部
  • RQ3E100GNTB 購入
  • RQ3E100GNTB 配給業者
  • RQ3E100GNTB PDF
  • RQ3E100GNTB 成分
  • RQ3E100GNTB IC
  • RQ3E100GNTB PDFをダウンロード
  • RQ3E100GNTB データシートをダウンロードする
  • RQ3E100GNTB 供給
  • RQ3E100GNTB サプライヤー
  • RQ3E100GNTB 価格
  • RQ3E100GNTB データシート
  • RQ3E100GNTB 画像
  • RQ3E100GNTB 画像
  • RQ3E100GNTB 在庫
  • RQ3E100GNTB 株式
  • RQ3E100GNTB 元の
  • RQ3E100GNTB 最も安い
  • RQ3E100GNTB 優秀な
  • RQ3E100GNTB 無鉛の
  • RQ3E100GNTB 仕様
  • RQ3E100GNTB ホットオファー
  • RQ3E100GNTB ブレイクプライス
  • RQ3E100GNTB 技術データ