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RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1
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製品仕様

分類
MOSFET
Configuration
Single
Fall Time
40 ns
Forward Transconductance - Min
10 s
Id - Continuous Drain Current
15 A
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Pd - Power Dissipation
2 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
20 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
4.8 mOhms
Rise Time
13 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
40 ns
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

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