RQ6E050ATTCR

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モデル
RQ6E050ATTCR
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET Pch -30V -5A Power MOSFET

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
22 ns
Id - Continuous Drain Current
5 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
SOT-457-6
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
1.25 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
20.8 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
38 mOhms
Rise Time
16 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
55 ns
Typical Turn-On Delay Time
9.6 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

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