RQ6E030ATTCR

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モデル
RQ6E030ATTCR
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET Pch -30V -3A Middle Power MOSFET

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
5.5 ns
Id - Continuous Drain Current
3 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
SOT-457-6
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
1.25 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
5.4 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
70 mOhms
Rise Time
8.5 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
22 ns
Typical Turn-On Delay Time
6.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

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