IKD10N60RAATMA2

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製品仕様

分類
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
20 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
150 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
RC
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP

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