IKB40N65EF5ATMA1

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モデル
IKB40N65EF5ATMA1
分類
IGBT Transistors
RoHS
データシート
説明
IGBT Transistors 40A 650V TRENCHSTOP 5 ultra fast F5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode

製品仕様

分類
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
74 A
Continuous Collector Current Ic Max
74 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-263-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
250 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
TRENCHSTOP 5
Technology
SI

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