RQ3E110AJTB

画像は参考用です
モデル
RQ3E110AJTB
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET NCH 30V 24A POWER

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
20 ns
Id - Continuous Drain Current
24 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
15 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
13.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
11.7 mOhms
Rise Time
21 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
54 ns
Typical Turn-On Delay Time
21 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
500 mV

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