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2N2609

2N2609
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モデル
2N2609
分類
JFET
RoHS
データシート
説明
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 300mW 2mW
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製品仕様

分類
JFET
Configuration
Single
Drain-Source Current at Vgs=0
- 10 mA
Forward Transconductance - Min
25 ms
Gate-Source Cutoff Voltage
4 V
Id - Continuous Drain Current
5 mA
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
300 mW
Series
2N26
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Type
JFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 30 V

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

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