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2N2219Ae3

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製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hfe Min
50 at 100 uA, 10 V
DC Current Gain hFE Max
325 at 1 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Maximum DC Collector Current
800 mA
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-39-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
3 W
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

最新の評価

事後評価
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