2N2222A

製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
800 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min
50
DC Current Gain hFE Max
40
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Maximum DC Collector Current
800 mA
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-18-3
Packaging
Ammo Pack
Pd - Power Dissipation
500 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN

最新の評価

My package arrived wet, not know where occurs this fact, but working all right

Quick delivery. Secure packing. Excellent product. Thank you

Good product. Very small and well built. Ii is not produce any kind of. nterferences RFi. Quick delivery

Thank you for the help in the selection of the correct driver, connect, works, not heated perfectly!

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