2N2222A

画像は参考用です

製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hfe Min
35
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Height
5.33 mm
Length
5.84 mm
Maximum DC Collector Current
0.8 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-18
Packaging
Bulk
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
400 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
2N2222
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN
Unit Weight
Width
5.84 mm

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