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GA04JT17-247

GA04JT17-247
画像は参考用です
モデル
GA04JT17-247
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
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製品仕様

分類
MOSFET
Configuration
Single
Fall Time
50 ns
Id - Continuous Drain Current
15 A
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
91 W
Product Type
MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance
480 mOhms
Rise Time
28 ns
Series
GA04
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
73 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1.7 kV

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

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