RQ6C050UNTR

画像は参考用です
モデル
RQ6C050UNTR
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
100 ns
Id - Continuous Drain Current
5 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
SOT-457-6
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
1.25 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
12 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
22 mOhms
Rise Time
25 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
70 ns
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs - Gate-Source Voltage
10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
300 mV

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