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TN0106N3-G

TN0106N3-G
画像は参考用です
モデル
TN0106N3-G
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET 60V 3Ohm
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製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
3 ns
Height
5.33 mm
Id - Continuous Drain Current
350 mA
Length
5.21 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
1 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
-
Rds On - Drain-Source Resistance
3 Ohms
Rise Time
3 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Type
FET
Typical Turn-Off Delay Time
6 ns
Typical Turn-On Delay Time
2 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Width
4.19 mm

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

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