RQ1C065UNTR

画像は参考用です
モデル
RQ1C065UNTR
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
25 ns
Forward Transconductance - Min
6 s
Height
0.85 mm
Id - Continuous Drain Current
6.5 A
Length
3 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Product
MOSFET
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
11 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
58 mOhms
Rise Time
30 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Type
Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
70 ns
Typical Turn-On Delay Time
7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs - Gate-Source Voltage
10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
300 mV
Width
2.4 mm

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