J309

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モデル
J309
分類
JFET
RoHS
データシート
説明
JFET JFET N-Channel -25V 10mA 360mW 3.27mW

製品仕様

分類
JFET
Configuration
Single
Drain-Source Current at Vgs=0
30 mA
Forward Transconductance - Min
10000 uS
Gate-Source Cutoff Voltage
- 4 V
Id - Continuous Drain Current
1 nA
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
360 mW
Series
J309
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
JFET
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V

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