TN0110N3-G

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モデル
TN0110N3-G
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET 100V 3Ohm

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
3 ns
Forward Transconductance - Min
225 ms
Height
5.33 mm
Id - Continuous Drain Current
350 mA
Length
5.21 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
1 W
Product Type
MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance
3 Ohms
Rise Time
3 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Type
FET
Typical Turn-Off Delay Time
6 ns
Typical Turn-On Delay Time
2 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Vgs - Gate-Source Voltage
10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
600 mV
Width
4.19 mm

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