- モデル
- IKQ40N120CT2XKSA1
- RoHS
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- 説明
- IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
製品仕様
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 1200 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 1.75 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current at 25 C
- 80 A
- Continuous Collector Current Ic Max
- 80 A
- Gate-Emitter Leakage Current
- 100 nA
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Maximum Operating Temperature
- + 175 C
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Package / Case
- TO247-3-46
- Packaging
- Tube
- Part # Aliases
- Pd - Power Dissipation
- 500 W
- Product Type
- IGBT Transistors
- Technology
- SI
- Unit Weight
商品カテゴリ
Circuit Protection
157,625 製品
Connectors
2,137,436 製品
Electromechanical
285,583 製品
Embedded Solutions
103,645 製品
Enclosures
21,131 製品
Engineering Development Tools
46,355 製品
Industrial Automation
55,700 製品
LED Lighting
67,469 製品
Optoelectronics
76,118 製品
Passive Components
2,029,037 製品
Power
278,174 製品
Semiconductors
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