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2N2369A

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製品仕様

分類
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
15 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hfe Min
20 at 100 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max
120
Emitter- Base Voltage VEBO
4.5 V
Gain Bandwidth Product fT
500 MHz
Height
5.33 mm
Length
5.84 mm
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-18
Packaging
Bulk
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
360 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
2N2369
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN
Width
5.84 mm

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

最新の評価

事後評価
everything as it is written in the description of the same deductible prodovtsu deserved
packed pretty good, all is ok,-seller.
Thank You all fine, packed very well
Shipped quickly, it was about 1 weeks in Krasnodar. Until the check operation, but to look at everything together
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