- モデル
- R5021ANX
- 分類
- MOSFET
- RoHS
- データシート
- 説明
- MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
製品仕様
- 分類
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Configuration
- Single
- Fall Time
- 70 ns
- Forward Transconductance - Min
- 7 s
- Height
- 15.4 mm
- Id - Continuous Drain Current
- 21 A
- Length
- 10.3 mm
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- TO-220FP-3
- Packaging
- Reel
- Packaging
- Cut Tape
- Part # Aliases
- Pd - Power Dissipation
- 50 W
- Product Type
- MOSFET
- Qg - Gate Charge
- 64 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 160 mOhms
- Rise Time
- 70 ns
- Series
- R5021ANX
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Transistor Type
- 1 N-Channel
- Typical Turn-Off Delay Time
- 200 ns
- Typical Turn-On Delay Time
- 47 ns
- Unit Weight
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 500 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2.5 V
- Width
- 4.8 mm
商品カテゴリ
Circuit Protection
157,625 製品
Connectors
2,137,436 製品
Electromechanical
285,583 製品
Embedded Solutions
103,645 製品
Enclosures
21,131 製品
Engineering Development Tools
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Industrial Automation
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LED Lighting
67,469 製品
Optoelectronics
76,118 製品
Passive Components
2,029,037 製品
Power
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Semiconductors
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Sensors
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Test & Measurement
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