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RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB
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モデル
RQ3G100GNTB
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET
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製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
3.2 ns
Id - Continuous Drain Current
10 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
2 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
8.4 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
11 mOhms
Rise Time
4.2 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
23.1 ns
Typical Turn-On Delay Time
8 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V

商品カテゴリ

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 製品 Connectors Connectors 2,137,436 製品 Electromechanical Electromechanical 285,583 製品 Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 製品 Enclosures Enclosures 21,131 製品 Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 製品 Industrial Automation Industrial Automation 55,700 製品 LED Lighting LED Lighting 67,469 製品 Optoelectronics Optoelectronics 76,118 製品 Passive Components Passive Components 2,029,037 製品 Power Power 278,174 製品 Semiconductors Semiconductors 575,056 製品 Sensors Sensors 61,386 製品 Test & Measurement Test & Measurement 20,391 製品

最新の評価

事後評価
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Shipped quickly, it was about 1 weeks in Krasnodar. Until the check operation, but to look at everything together
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