RQ3C150BCTB

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モデル
RQ3C150BCTB
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET Pch -20V -30A Si MOSFET

製品仕様

分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
280 ns
Forward Transconductance - Min
25 s
Id - Continuous Drain Current
30 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
20 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
60 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
4.8 mOhms
Rise Time
80 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
300 ns
Typical Turn-On Delay Time
26 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs - Gate-Source Voltage
8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V

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