- モデル
- IKP15N65H5
- RoHS
- データシート
- 説明
- IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
製品仕様
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 650 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 1.65 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current at 25 C
- 30 A
- Gate-Emitter Leakage Current
- 100 nA
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Maximum Operating Temperature
- + 175 C
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Package / Case
- TO-220-3
- Packaging
- Tube
- Part # Aliases
- Pd - Power Dissipation
- 105 W
- Product Type
- IGBT Transistors
- Series
- TRENCHSTOP 5 H5
- Technology
- SI
- Tradename
- TRENCHSTOP
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