- モデル
- 2N1131
- RoHS
- データシート
- 説明
- Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 50Vcer 35Vceo 0.6A Ic 2.0W PNP
製品仕様
- Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 35 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 1.5 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current
- 0.6 A
- DC Collector/Base Gain hfe Min
- 15 at 5 mA, 10 V
- Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
- Gain Bandwidth Product fT
- 50 MHz
- Maximum DC Collector Current
- 0.6 A
- Maximum Operating Temperature
- + 200 C
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Package / Case
- TO-39-3
- Packaging
- Bulk
- Part # Aliases
- Pd - Power Dissipation
- 600 mW
- Product Type
- BJTs - Bipolar Transistors
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- PNP
- Unit Weight
商品カテゴリ
Circuit Protection
157,625 製品
Connectors
2,137,436 製品
Electromechanical
285,583 製品
Embedded Solutions
103,645 製品
Enclosures
21,131 製品
Engineering Development Tools
46,355 製品
Industrial Automation
55,700 製品
LED Lighting
67,469 製品
Optoelectronics
76,118 製品
Passive Components
2,029,037 製品
Power
278,174 製品
Semiconductors
575,056 製品
Sensors
61,386 製品
Test & Measurement
20,391 製品
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